最近のシングルイベント研究について; 新たな測定手法の開発

平尾 敏雄; Laird, J. S.; 森 英喜*; 小野田 忍*; 伊藤 久義

JAERI-Conf 2000-019, p.90 - 92, 2001/02

https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Conf-2000-019.pdf

人工衛星の需要と長寿命化への要求が高まる中、それらに搭載されている半導体素子の放射線環境下での影響を詳細に調べ、対策を施すことはますます重要な課題となっている。現在、我々は、TIARA照射施設のタンデム加速器に設置されている重イオンマイクロビームを用いてシングルイベント発生機構の解明を目的として、入射イオンと半導体中に発生する電荷量との関係を求める実験を行っている。本研究会では、これまでの実験から取得した結果の内、イオンが入射したときに発生する電荷量が、LETと印加電圧に依存すること、さらにシングルイベントの耐性を強化において、SOI構造を備えたデバイスが有効であることなどを述べる。また、重イオンの入射によって生じる放射線損傷の影響を軽減するために開発した新たな測定システム(TIBIC)の説明と、TIBICを用いた実験結果について報告を行う。